[15a-S2_202-1~10] CS.1 2.3 加速器技術・加速器質量分析・ビーム分析、7.4 イオンビーム一般のコードシェアセッション

10:00 〜 10:15

[15a-S2_202-5] イオン照射されたダイヤモンドのX線光電子分光

〇(M1)垣内 晴名¹、尾崎 孝一²、高廣 克己¹ (1.京工繊大、2.滋賀県工業技術総合センター)

キーワード：

XPS、アモルファスカーボン、イオンビーム

Arイオンビーム照射によりダイヤモンド基板(sp³-C)表面をアモルファス化し、アモルファスカーボンのXPS C 1sスペクトルを得た。アモルファス層をスパッタリングしていくと、高結合エネルギー成分が増大した。角度分解測定により、この成分がアモルファス層の下に存在する損傷を受けたsp³-C由来であることが確認できた。ピーク分離の結果、高結合エネルギー成分の結合エネルギーは、285.9 eVと求められた。