[15p-70A_101-1~13] Atomic Layer Process (ALP) analysis and application technologies (3)

5:45 PM - 6:00 PM JST(8:45 AM - 9:00 AM UTC)

[15p-70A_101-13] Surface reaction analysis of area-selective Co-ALD by using MLPs

〇Naoki Tamaoki¹, Jun Yamaguchi¹, Noboru Sato¹, Atsuhiro Tsukune¹, Yukihiro Shimogaki¹ (1.Univ. Tokyo)

Keywords:

area selective deposition,machine learning potentials,metal interconnect

機械学習ポテンシャルを用いた原子レベルシミュレーションを活用し、CCTBAを原料とするCo-ALD選択成長プロセスの表面反応を解析した結果について報告する。原料ガスの気相分解反応の活性化エネルギーを求め、分解した中間体が非成長面である酸化膜表面に容易に化学吸着して選択性を悪化させる可能性を示した。また、インヒビターとしてのNH3の可能性についても評価した。