Presentation Information
[15p-M_124-8]High current density in electric double layer light-emitting devices of WSe2 monolayers
〇koshi Oi1, Hou Ou2, Jiang Pu2, Endo Takahiko3, Miyata Yasumitu3, Takenobu Taishi1 (1.Nagoya Univ., 2.Institute of Science Tokyo, 3.NIMS (MANA))
Keywords:
2D semiconductor
VI族元素の遷移金属ダイカルコゲナイド単層膜（TMDC：MX2、M = Mo or W、X = S or Se）は次世代の発光材料である。当研究グループは、本材料に対し電解質を用いた電気二重層発光素子（EDLED）を開発し、電流励起による円偏光発光などを報告してきた。らに我々は、本材料における電流励起レーザー発振の実現に向けて電解質のガラス転移を利用することで従来報告されている電流密度の最大値（0.3 MA/cm2）を超える10 MA/cm2の高電流密度注入に成功した。このような高電流密度では熱などの影響によって発光効率が低下することが考えられる。そこで本研究では低温における高電流密度時の発光特性を評価することに挑戦した。