Presentation Information
[15p-PA2-3]Temperature Dependence of 1.5μm Wavelength GaInAsP MQW High-Mesa Laser Diode on Directly Bonded InP/Si Substrate
〇(M1)QIGUANG JIA1, ZHEHAO HUANG1, RONG LE1, Mizuki Holt1, Koki Tominaga1, CHAOKE BAN1, RUIQI ZHANG1, LIANG ZHAO1, Kazuhiko Shimomura1 (1.Sophia Univ.)
Keywords:
semiconductor laser diode,silicon photonics,MOVPE
情報伝送量の増加に伴って生じるデータセンターにおける伝送遅延や消費電力の増加といった課題に対し、低消費電力かつ高速大容量通信が可能であるという特長から、シリコンフォトニクス技術が注目されている。我々は、III-V 族半導体である InP と Si を直接貼り付け、その後、有機金属気相成長（MOVPE）法を用いて光デバイスを作製する手法を提案している[1,2]。今回、InP/Si 基板上に作製した 1.5 μm 帯 GaInAsP ハイメサレーザの温度依存性について報告する。