講演情報
[15p-PA2-3]直接貼付InP/Si基板上1.5μm帯GaInAsP MQWハイメサレーザの温度依存性
〇(M1)JIA QIGUANG1、HUANG ZHEHAO1、LE RONG1、ホルト 瑞樹1、富永 幸輝1、BAN CHAOKE1、ZHANG RUIQI1、趙 亮1、下村 和彦1 (1.上智大理工)
キーワード：
半導体レーザ、シリコンフォトニクス、有機金属気相成長
情報伝送量の増加に伴って生じるデータセンターにおける伝送遅延や消費電力の増加といった課題に対し、低消費電力かつ高速大容量通信が可能であるという特長から、シリコンフォトニクス技術が注目されている。我々は、III-V 族半導体である InP と Si を直接貼り付け、その後、有機金属気相成長（MOVPE）法を用いて光デバイスを作製する手法を提案している[1,2]。今回、InP/Si 基板上に作製した 1.5 μm 帯 GaInAsP ハイメサレーザの温度依存性について報告する。