Presentation Information
[15p-PA2-6]SiGe pin photodetectors on Si fabricated for evaluating the Franz-Keldysh Effect
〇(M1)Daiki Yano1, Ryoya Ogura1, Jose A Piedra-Lorenzana1, Daisuke Akai1, Takeshi Hizawa1, Ishikawa Yasuhiko1 (1.Toyohashi Univ. Tech.)
Keywords:
Silicon Germanium,Photodetector
Franz-Keldysh効果による光変調の直接的・定量的な評価に向けて、Si上にエピタキシャル成長したSi組成5%程度のSiGe層を利用したpin PDを作製した。良好な整流特性が得られており、Franz-Keldysh効果の評価に利用できるものと考えられる。