講演情報
[15p-PA2-6]Franz-Keldysh効果の評価に向けたSi基板上SiGe pin受光器の作製
〇(M1)矢野 大輝1、小椋 亮弥1、Piedra-Lorenzana Jose A1、赤井 大輔1、飛沢 健1、石川 靖彦1 (1.豊橋技科大)
キーワード：
シリコンゲルマニウム、受光器
Franz-Keldysh効果による光変調の直接的・定量的な評価に向けて、Si上にエピタキシャル成長したSi組成5%程度のSiGe層を利用したpin PDを作製した。良好な整流特性が得られており、Franz-Keldysh効果の評価に利用できるものと考えられる。