Presentation Information
[15p-PB1-29]Room temperature ferromagnetism in ZnO nanoparticles
〇Hibiki Inui1, Kenta Ueki1, Kazuki Ishiyama1, Tetsuhiko Tanikawa1, Kazane Ito1, Zijie Feng1, Kouichi Takase2 (1.Graduate School of Sci. and Tech., Nihon Univ., 2.college of Sci. and Tech., Nihon Univ.)
Keywords:
d0 ferromagnetism,Room temperature ferromagnetism
ワイドギャップ半導体ZnOにおけるd0強磁性の発現機構解明を目指し、ボールミル粉砕による欠陥導入と水素アニールによるキャリア制御が磁性特性に及ぼす影響を調査した。粉砕試料は室温強磁性を示し、水素処理により磁化の増大が観測された。本発表では、磁化測定およびフォトルミネッセンス測定の結果に基づき、導入された欠陥準位とキャリアが強磁性秩序形成に果たす役割について考察する。