講演情報
[15p-PB1-29]ZnOナノ粒子の室温強磁性
〇犬井 響熙1、植木 健太1、石山 和樹1、谷川 哲彦1、伊藤 風音1、馮 子介1、高瀬 浩一2 (1.日大院理工、2.日大理工)
キーワード：
d⁰強磁性、室温強磁性
ワイドギャップ半導体ZnOにおけるd0強磁性の発現機構解明を目指し、ボールミル粉砕による欠陥導入と水素アニールによるキャリア制御が磁性特性に及ぼす影響を調査した。粉砕試料は室温強磁性を示し、水素処理により磁化の増大が観測された。本発表では、磁化測定およびフォトルミネッセンス測定の結果に基づき、導入された欠陥準位とキャリアが強磁性秩序形成に果たす役割について考察する。