[15p-SL_101-1~17] CS.4 Code-sharing Session of 6.1 & 15.4

2:15 PM - 2:30 PM JST(5:15 AM - 5:30 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[15p-SL_101-3] Epitaxial Growth of BAlN films by Sputtering

〇Kazuhisa Ikeda¹, Yuto Shibuya¹, Atsushi Kobayashi¹ (1.Tokyo Univ. of Science)

Keywords:

semiconductor,nitride semiconductor,sputtering

2019 年に ScAlN の強誘電性が報告されて以来、ウルツ鉱構造 AlNに遷移金属元素 を添加することで強誘電性が発現することが報告されてきた。一方で、Bを添加したBAlNで も強誘電性を示すことが報告されている。BAlN に関する研究は強誘電性に焦点を当てたものが多く、B 添加量に対する結晶品質への影響 に関しては未解明な部分が多い。そこで本研究では、スパッタ法を用いて BAlNを様々な条件で成長させ、成長条件と結晶品質の関係を明らかにした。