[15p-W8E_101-1~13] 13.3 Insulator technology

3:30 PM - 3:45 PM JST(6:30 AM - 6:45 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[15p-W8E_101-7] Detection of Trapped Electron Distribution in Gate Insulator Using Displacement Current Measurements

〇Yuki Komatsubara¹, Reika Ichihara¹ (1.Frontier Technology R&D Institute, Kioxia Corporation)

Keywords:

Insulator,Transistor,Displacement Current Measurements

MISトランジスタ等のゲート絶縁膜中の欠陥による電荷捕獲はデバイス性能に影響し、その経時変化は信頼性上の問題となる。捕獲電子は膜内の別の欠陥へ再配置され、時間経過に伴い、膜外へ放出されると予想されるが、これらを独立に評価する方法はない。そこで本研究では、捕獲電荷の膜外への放出と膜内での再配置の分離評価手法を検討した。その結果、想定した「再配置が放出の前駆的現象である」という描像と合致する結果を得た。