Presentation Information
[16a-M_178-9]Control of Atmospheric Molecular Adsorption–Induced Doping Mechanisms in Two-Dimensional Material–Based Field-Effect Transistors
〇Takumi Yoshida1, Rintaro Narita1, Taichi Umehara1, Yasushi Ishiguro2, Kazuyuki Takai1 (1.Hosei Univ., 2.National Defense Acad.)
Keywords:
Graphene,Molybdenum disulfide,Field Effect Transistor
全ての構成原子が表面に存在するグラフェン等の2次元材料は周囲からの影響を受けやすく，2次元材料へ大気分子である酸素が吸着することで，水を介した電気化学反応 (O2 + 4H+ + 4e− ⇄ 2H2O) を伴う機構による電荷ドーピングを起こす．本研究では2次元材料であるグラフェンおよびMoS2を用いた電界効果トランジスタ (FET) デバイスを構築し，吸着分子の分圧・基板表面の酸性度・ゲート電圧の制御によって電荷移動反応に関与する酸素・水・プロトン・電子の各成分の化学ポテンシャルを変化させ，グラフェンおよびMoS2への電荷ドーピングを変調させた．