Presentation Information
[16a-PA6-6]post-annealing crystallization of room-temperature-deposited BiFeOx thin films
〇Takato Inui1, Seiji Nakashima1, Hironori Fujisawa1, Ai I. Osaka1, Hideaki Tanimura1,2, Yuma Ueno2, Yusuke Tani2, Shinichi kato2, Takumi Mikawa2 (1.Univ. of Hyogo, 2.SCREEN Semiconductor Solutions Co., Ltd.)
Keywords:
BFO,rapid thermal annealing,flash lamp annealing
ビスマスフェライト（BiFeO₃：BFO）は良好な強誘電性を示し、分極制御型スイッチングデバイスや抵抗変化型メモリへの応用が期待されている。BFO薄膜には結晶化が不可欠であるが、Si-CMOSプロセスとの親和性から低熱履歴プロセスが求められる。本研究では、室温でスパッタ成膜したMnドープBiFeOx薄膜に対し、ラピッドサーマルアニール（RTA）およびフラッシュランプアニール（FLA）を用いたポストアニールによる結晶化を検討した。