講演情報
[16a-PA6-6]ポストアニールによる室温成膜BiFeOx薄膜の結晶化
〇乾 嵩人1、中嶋 誠二1、藤沢 浩訓1、大坂 藍1、谷村 英昭1,2、植野 雄守2、谷 勇佑2、加藤 慎一2、三河 巧2 (1.兵庫県大院工、2.SCREENセミコンダクターソリューションズ)
キーワード：
BFO、ラピッドサーマルアニール、フラッシュランプアニール
ビスマスフェライト（BiFeO₃：BFO）は良好な強誘電性を示し、分極制御型スイッチングデバイスや抵抗変化型メモリへの応用が期待されている。BFO薄膜には結晶化が不可欠であるが、Si-CMOSプロセスとの親和性から低熱履歴プロセスが求められる。本研究では、室温でスパッタ成膜したMnドープBiFeOx薄膜に対し、ラピッドサーマルアニール（RTA）およびフラッシュランプアニール（FLA）を用いたポストアニールによる結晶化を検討した。