Presentation Information
[16a-PB4-2]Decay Time of Coherent GaAs-like Longitudinal Optical Phonons in GaAs1-xNx
〇Hideo Takeuchi1,2,3, Kai Matsunaga1, Yusuke Sengi2, Jared Mitchell4, Yury Turklets5, Rachel Goldman4,5 (1.Osaka Metropolitan Univ., 2.Osaka City Univ., 3.Sophia Univ., 4.Applied Physics, Univ.of Michigan, 5.Deprt. of Material Science, Univ. of Michigan)
Keywords:
Terahertz time-domain spectroscopy,Coherent phonons,III-V Compound Semiconductos
III-V族化合物半導体におけるコヒーレント縦光学(LO)フォノンダイナミクスを解明することを目的として，希薄窒化GaAsにおけるコヒーレントGaAs型LOフォノンのテラヘル時間領域分光を行った。参照試料である半絶縁性GaAs単結晶におけるコヒーレントLOフォノンよりも希薄窒化GaAsエピ試料におけるコヒーレントGaAs型LOフォノンの寿命が長くなることを観測した。この結果は，希薄窒化GaAs特有のバンド反交差によって電子有効質量が増大し，結果，光生成キャリアによるLOフォノン散乱が抑制されたためであることを示している。