[16a-PB4-1~18] 3.8 テラヘルツ全般

[16a-PB4-2] 希薄窒化GaAsにおけるコヒーレントGaAs型縦光学フォノンの減衰時間

〇竹内 日出雄^1,2,3、松永 快¹、仙木 優介²、Jared Mitchell⁴、Yury Turkulets⁵、Rachel Goldman^4,5 (1.大阪公立大学・工、2.大阪市立大学・工、3.上智大学・理工、4.Applied Physics, University of Michigan、5.Department of Material Science, University of Michigan)

キーワード：

テラヘルツ時間領域分光、コヒーレントフォノン、III-V化合物半導体

III-V族化合物半導体におけるコヒーレント縦光学(LO)フォノンダイナミクスを解明することを目的として，希薄窒化GaAsにおけるコヒーレントGaAs型LOフォノンのテラヘル時間領域分光を行った。参照試料である半絶縁性GaAs単結晶におけるコヒーレントLOフォノンよりも希薄窒化GaAsエピ試料におけるコヒーレントGaAs型LOフォノンの寿命が長くなることを観測した。この結果は，希薄窒化GaAs特有のバンド反交差によって電子有効質量が増大し，結果，光生成キャリアによるLOフォノン散乱が抑制されたためであることを示している。