[16a-W9_324-1~12] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

10:00 AM - 10:15 AM JST(1:00 AM - 1:15 AM UTC)

[16a-W9_324-5] Analysis of slip planes in β-Ga₂O₃ based on chemical bonding

〇Hirotaka Yamaguchi¹, Yongzhao Yao^1,2, Daiki Katsube¹, Yukari Ishikawa¹ (1.JFCC, 2.Mie Univ.)

Keywords:

Ga2O3,dislocation,slip plane

結晶構造の結晶化学的に検討することによって、すべり面の検討を行った。結合原子価（bond valence）によって、とくに、転位の運動が観察されている(001)面について考察した。