[16a-W9_325-1~7] 22.1 Joint Session M "Phonon Engineering"

10:30 AM - 10:45 AM JST(1:30 AM - 1:45 AM UTC)

[16a-W9_325-3] Thermoelectric property control through strengthened electron-phonon interaction in epitaxial B20-CoGe thin films/Si

〇Asumi Michibata¹, Tsukasa Terada¹, Takafumi Ishibe¹, Yuichiro Yamashita², Nobuyasu Naruse³, Katsuhiro Suzuki⁴, Yoshiaki Nakamura¹ (1.Grad. School Eng. Sci., 2.AIST, 3.Shiga University of Medical Science, 4.NIT Niihama College)

Keywords:

Seebeck coefficient,Electron-phonon interaction,B20-CoGe

熱電性能の向上にはゼーベック係数（S）の増大が求められる。近年、B20-CoSiが電子-フォノン相互作用（EPI）に起因して高いSを示すことが報告された。我々は、EPIと密接に関連するフォノンの周波数を制御することで、室温でEPIに寄与するフォノンの状態密度を増大させ、EPI強度に伴うSの向上が可能であると考えた。本研究では、B20-CoGeとB20-CoSiの性能比較を通じて、フォノン状態密度、EPI強度、熱電性能の相関解明を目指す。