[16a-W9_325-1~7] 22.1 合同セッションM 「フォノンエンジニアリング」

10:30 〜 10:45

[16a-W9_325-3] Si 基板上エピタキシャルB20-CoGe薄膜における電子-フォノン相互作用の増強による熱電特性制御

〇道端 亜澄¹、寺田 吏¹、石部 貴史¹、山下 雄一郎²、成瀬 延康³、鈴木 雄大⁴、中村 芳明¹ (1.阪大院基礎工、2.産総研、3.滋賀医科大、4.新居浜高専)

キーワード：

ゼーベック係数、電子-フォノン相互作用、B20-CoGe

熱電性能の向上にはゼーベック係数（S）の増大が求められる。近年、B20-CoSiが電子-フォノン相互作用（EPI）に起因して高いSを示すことが報告された。我々は、EPIと密接に関連するフォノンの周波数を制御することで、室温でEPIに寄与するフォノンの状態密度を増大させ、EPI強度に伴うSの向上が可能であると考えた。本研究では、B20-CoGeとB20-CoSiの性能比較を通じて、フォノン状態密度、EPI強度、熱電性能の相関解明を目指す。