[16a-W9_325-1~7] 22.1 Joint Session M "Phonon Engineering"

11:30 AM - 11:45 AM JST(2:30 AM - 2:45 AM UTC)

[16a-W9_325-6] Transport property of bulk single crystalline IGZTO with In sites substituted by Sn

〇Ryoto Yanagisawa¹, Maaya Yoshida¹, Taiki Kouyama¹, Momoka Hirai¹, Ryotaro Kokai¹, Takumi Takahashi¹, Naoki Kase¹, Nobuaki Miyakawa¹ (1.Tokyo Univ. of Sci.)

Keywords:

oxide semiconductor,IGZO,energy harvesting

透明導電性酸化物であるInGaZnO₄（IGZO）について、熱電変換による環境発電応用が期待されている。本研究ではフローティングゾーン法を用いてバルクIGZO単結晶を作製し、InサイトをSnで置換したIGZTOの輸送特性について、Snの置換量を変化させて作製した試料の移動度やゼーベック係数の結果を報告する。