[16a-W9_325-1~7] 22.1 合同セッションM 「フォノンエンジニアリング」

11:30 〜 11:45

[16a-W9_325-6] InサイトをSnで置換したIGZTOバルク単結晶の輸送特性

〇柳澤 亮人¹、吉田 麻彩¹、光山 大樹¹、平井 萌々香¹、小海 稜太郎¹、高橋 拓海¹、加瀬 直樹¹、宮川 宣明¹ (1.東理大先進工)

キーワード：

酸化物半導体、IGZO、エネルギーハーベスティング

透明導電性酸化物であるInGaZnO₄（IGZO）について、熱電変換による環境発電応用が期待されている。本研究ではフローティングゾーン法を用いてバルクIGZO単結晶を作製し、InサイトをSnで置換したIGZTOの輸送特性について、Snの置換量を変化させて作製した試料の移動度やゼーベック係数の結果を報告する。