[16p-M_101-1~18] 13.9 Compound solar cells

1:30 PM - 1:45 PM JST(4:30 AM - 4:45 AM UTC)

[16p-M_101-1] [The 59th Young Scientist Presentation Award Speech] Epitaxial growth of ZnSnP₂ and selective band engineering by constitutional antisites

〇Isshin Sumiyoshi¹, Yoshitaro Nose¹ (1.Kyoto Univ.)

Keywords:

constitutional defect,order-disorder phase transition,band engineering

ZnSnP₂はZn, Sn原子配列の不規則化に伴いバンド構造が変化する特徴を持つ。本研究では、反応性の低いP₄ガスを用いた分子線エピタキシー法により非化学量論組成のZnSnP₂薄膜を作製し、バンド構造への影響を調査した。Sn/Zn組成比の変化に伴い価電子帯上端はほぼ不変である一方、伝導帯下端は約1 eV変化することを見出した。この選択的なバンド制御は、従来のアンチサイト対形成では説明できず、構造的Sn_Znアンチサイトに起因すると考えられる。