講演情報
[16p-M_101-1][第59回講演奨励賞受賞記念講演] ZnSnP2のエピタキシャル成長と構造的欠陥による選択的バンド制御
〇住吉 壱心1、野瀬 嘉太郎1 (1.京都大工)
キーワード：
構造的欠陥、規則不規則相転移、バンドエンジニアリング
ZnSnP2はZn, Sn原子配列の不規則化に伴いバンド構造が変化する特徴を持つ。本研究では、反応性の低いP4ガスを用いた分子線エピタキシー法により非化学量論組成のZnSnP2薄膜を作製し、バンド構造への影響を調査した。Sn/Zn組成比の変化に伴い価電子帯上端はほぼ不変である一方、伝導帯下端は約1 eV変化することを見出した。この選択的なバンド制御は、従来のアンチサイト対形成では説明できず、構造的SnZnアンチサイトに起因すると考えられる。