[16p-M_101-1~18] 13.9 Compound solar cells

6:15 PM - 6:30 PM JST(9:15 AM - 9:30 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[16p-M_101-18] Optimization of Hole Transport Layer Properties for CIGS Solar Cells by Numerical Simulation

〇(D)Yosuke Abe¹, Takahito Nishimura¹, Akira Yamada¹ (1.Science Tokyo)

Keywords:

solar cell,semiconductor,device simulation

CIGS太陽電池の効率向上は近年停滞しており、さらなる高効率化には十分に検討されていない裏面特性の改善が必須である。本研究ではデバイスシミュレーションにより、裏面特性向上に資する新規正孔輸送層（HTL）の物性要件を体系的に検討した。結果、HTLのバンド特性とドーピング濃度を最適化することで裏面接触抵抗低減と界面再結合抑制が可能となり、従来構造に対して1.3%の効率改善が実現可能であることを示した。