講演情報

[16p-M_101-18]数値シミュレーションを用いたCIGS太陽電池における正孔輸送層物性の最適化

〇(D)阿部 鷹介1、西村 昂人1、山田 明1 (1.科学大工)

キーワード:

太陽電池、半導体、デバイスシミュレーション

CIGS太陽電池の効率向上は近年停滞しており、さらなる高効率化には十分に検討されていない裏面特性の改善が必須である。本研究ではデバイスシミュレーションにより、裏面特性向上に資する新規正孔輸送層(HTL)の物性要件を体系的に検討した。結果、HTLのバンド特性とドーピング濃度を最適化することで裏面接触抵抗低減と界面再結合抑制が可能となり、従来構造に対して1.3%の効率改善が実現可能であることを示した。