Presentation Information
[16p-PA7-15]Exploration of Bi2Se3 Fabrication Methods with Structural and Electronic Characterization
〇(B)Toshiki Mori1, Hiroki Waizumi1, Seiya Yokokura1, Toshihiro Shimada1 (1.Hokkaido Univ.)
Keywords:
topological insulator
トポロジカル絶縁体の一つであるBi₂Se₃は、理想的な表面状態の実現に向けた結晶性や化学量論比の制御が重要である。そこで、本研究ではTe 事前蒸着による薄膜の結晶性および電子状態に及ぼす影響を調べた。XRDでは適切なTe 量による結晶性の向上が確認され、Raman分光では基板界面や薄膜表面近傍における微小な歪みや局所的無秩序の増加によりフォノン散乱が強まった可能性が示唆された。