Presentation Information
[16p-PB2-5]In situ AFM analysis on an interface between molten metal flux and semiconductor
〇Taiga Sako1, Yuto Nishiwaki1, Shuji Tokitoh1, Toru Utsunomiya1, Takashi Ichii1 (1.Kyoto Univ.)
Keywords:
Atomic Force Microscope,molten metal,semiconductor
溶融金属フラックス法は高品質かつ低エネルギーでの半導体・機能材料の結晶成長手段として注目されている．一方で原子レベルでの成長制御性や結晶表面の平坦性の面で制約を抱えている．そのため成長界面の分析は重要であるが，溶融金属の工学的な不透明性によりin situでの成長界面分析手法は限られている．そこで本研究では成長界面分析手法としてqPlus AFMを用い，溶融金属中の半導体材料結晶成長界面のin situ分析可能性について検討した．