Presentation Information
[16p-PB4-27]Analysis of the Direct Growth Mechanism of Graphene Using Hexagonal Boron Nitride Flakes as a Solid Template under Catalyst-Free Conditions.
〇Yunosuke Miyashita1, Hayato Watanabe2, Yusei Terada1, Aoi Sasanuma1, Ryosuke Takatsuka1, Keiichi Yanagisawa3, Tomofumi Ukai3, Shunji Kurosu3, Kenji Watanabe4, Takashi Taniguchi4, Tatsuro Hanajiri1,2,3, Toru Maekawa3, Ryota Negishi1,2,3 (1.Graduate School of Toyo Univ., 2.Toyo Univ., 3.BN research centre, 4.NIMS)
Keywords:
Graphene,2D material,Crystal growth
本研究は、グラフェンの転写プロセスによって発生する破れやシワなどの課題を回避するため、固体テンプレートとして機能する絶縁性六方晶窒化ホウ素（h-BN）フレーク上にグラフェンを直接成長させる手法を確立する。炭素源ガスの熱分解が活性化する1220ºCから1450ºCに至る成長温度範囲において、結晶成長したグラフェン島のサイズおよび成長速度の変化を体系的に評価し、それらの挙動を支配する成長メカニズムについて詳細な検討を行った。