講演情報
[16p-PB4-27]無触媒条件下での六方晶窒化ホウ素フレークを固体テンプレートとしたグラフェンの直接成長メカニズム解析
〇宮下 裕乃介1、渡邊 颯人2、寺田 祐晟1、笹沼 碧1、高塚 亮輔1、柳澤 圭一3、鵜飼 智文3、黒須 俊治3、渡邊 賢司4、谷口 尚4、花尻 達郎1,2,3、前川 透3、根岸 良太1,2,3 (1.東洋大院理工、2.東洋大理工、3.BN研究センター、4.物質・材料研究機構)
キーワード：
グラフェン、二次元材料、結晶成長
本研究は、グラフェンの転写プロセスによって発生する破れやシワなどの課題を回避するため、固体テンプレートとして機能する絶縁性六方晶窒化ホウ素（h-BN）フレーク上にグラフェンを直接成長させる手法を確立する。炭素源ガスの熱分解が活性化する1220ºCから1450ºCに至る成長温度範囲において、結晶成長したグラフェン島のサイズおよび成長速度の変化を体系的に評価し、それらの挙動を支配する成長メカニズムについて詳細な検討を行った。