[16p-S2_203-1~15] 13.5 Semiconductor devices/ Interconnect/ Integration technologies

5:30 PM - 5:45 PM JST(8:30 AM - 8:45 AM UTC)

[16p-S2_203-11] Mechanism of valley splitting at a semiconductor/insulator interface

〇Toshiaki Hayashi¹, Hiroyuki Kageshima², Yasushi Shinohara¹, Jinichiro Noborisaka¹, Katsuhiko Nishiguchi¹ (1.NTT, 2.Shimane Univ.)

Keywords:

valley splitting,buried oxide film,first principle calculation

我々のグループはSi/埋め込み酸化膜界面において非常に大きな谷分離を発見したが、その詳細なメカニズムは未だに明らかになっていない。本発表の目的は、第一原理計算を用いて今までに提唱されている谷分離の発現モデルを精査することにある。特にスピン軌道相互作用の有無によって谷分離の大きさが変化するかどうかについて議論する。また、Si以外の材料についても検討する。