[16p-S2_203-1~15] 13.5 Semiconductor devices/ Interconnect/ Integration technologies

6:00 PM - 6:15 PM JST(9:00 AM - 9:15 AM UTC)

[16p-S2_203-13] Optical control of carrier polarity in MOSFET fabricated with undoped Si substrate(Ⅰ)

〇(DC)Jin Miura¹, Jiei Mukoyama¹, Tetsuhiro Owa¹, Kenji Ikushima¹ (1.Tokyo Univ. of A & T)

Keywords:

semiconductor,Cryo-CMOS,Reconfigurable transistor

可逆的に極性を制御可能なトランジスタは多機能動作や消費電力の低減に貢献することが理論的に予測されているが、多くの実験的研究の舞台はSiナノワイヤやSOI (Silicon on insulator) 基板上トランジスタに限られていた。近年、我々はUndoped半導体を用いた標準的なバルクSi MOS構造素子において，キャリア極性の光学的制御を実証した。今回は光照射を用いてN型/P型動作を可逆変換可能なMOSFET構造を提案する。