[16p-W8E_101-1~15] 13.7 Compound and power devices, process technology and characterization

2:45 PM - 3:00 PM JST(5:45 AM - 6:00 AM UTC)

[16p-W8E_101-4] Structure of Power SiC-MOS best suited to High Voltage h-DCCB Application

〇Satoshi Tanimoto¹, Yuki Nomura¹, Kei Nishioka¹, Takashi Nakamura¹ (1.NexFi Technology Inc.)

Keywords:

SiC,Hybrid DC circuit breaker,DC transmission

筆者らは遮断実行時に負荷電流I_Lを機械スイッチからパワー半導体（SiC-MOS）に転流し遮断するアークフリー高圧ハイブリッド直流遮断器を開発している[1]。SiC-MOSにI_Lが流れるのは転流の間のみ、発熱時間はmsのレンジである。本講演では熱設計の視点から本用途に適した半導体実装構造を議論する。最終的に、最適な構造と本用途に冷却器は不要であると言う結論が導かれる。