[16p-W9_326-1~11] 3.12 Semiconductor optical devices

2:30 PM - 2:45 PM JST(5:30 AM - 5:45 AM UTC)

[16p-W9_326-4] Reduction in parasitic resistance of normal-incidence pin photodetectors using strain-enhanced Ge epitaxial layer on SOQ

〇(M2)Ryoya Ogura¹, Naoki Hamada¹, Soki Matsushita¹, Jose A. Piedra- Lorenzana¹, Takeshi Hizawa¹, Toshimasa Umezawa², Naokatsu Yamamoto², Kouichi Akahane², Yasuhiko Ishikawa¹ (1.Toyohashi Univ. Tech., 2.NICT)

Keywords:

germanium,photodetector,Frequency Response

シリコンフォトニクスにおいて、Si上Geエピタキシャル層を光吸収層とする近赤外受光器が利用されている。前回、Si-on-quartz基板上のひずみ増強Ge層をメサ加工した面入射型pin PDに対して周波数応答を報告した。1 GHz程度の3 dB遮断周波数が得られたが、更なる高周波動作には寄生成分の低減が必要であることが明らかとなった。今回は高周波応答の課題である寄生抵抗の低減を行ったので報告する。