講演情報
[16p-W9_326-4]SOQ上ひずみ増強Geエピタキシャル層を用いた面入射型pin受光器における寄生抵抗低減
〇(M2)小椋 亮弥1、濵田 直希1、松下 宗暉1、Piedra- Lorenzana Jose A.1、飛沢 健1、梅沢 俊匡2、山本 直克2、赤羽 浩一2、石川 靖彦1 (1.豊橋技科大、2.NICT)
キーワード：
ゲルマニウム、受光器、周波数応答
シリコンフォトニクスにおいて、Si上Geエピタキシャル層を光吸収層とする近赤外受光器が利用されている。前回、Si-on-quartz基板上のひずみ増強Ge層をメサ加工した面入射型pin PDに対して周波数応答を報告した。1 GHz程度の3 dB遮断周波数が得られたが、更なる高周波動作には寄生成分の低減が必要であることが明らかとなった。今回は高周波応答の課題である寄生抵抗の低減を行ったので報告する。