[16p-W9_326-1~11] 3.12 Semiconductor optical devices

2:45 PM - 3:00 PM JST(5:45 AM - 6:00 AM UTC)

[16p-W9_326-5] SWIR photodetector using GeSn grown by solid phase crystallization

〇Wei Dong¹, Mikiya Kuzutani¹, Kazuto Ofuji¹, Hiroyasu Fujiwara¹, Masashi Ito¹, Ryoya Ogura², Koji Abe², Yasuhiko Ishikawa² (1.Hamamatsu Photonics K.K., 2.Toyohashi Univ. of Tech)

Keywords:

SWIR photodetector,Ge,GeSn,solid phase crystallization

SWIR領域の受光材料としてGeSnが注目されている。Si上に集積できる特徴がある。GeにSnを添加することによりバンドギャップが縮小し、光吸収端が長波長化することでSWIR領域をカバーできる。近年、Si基板上にGeSn結晶層を直接成長させる一つの手法として固相成長法が報告されたが、その結晶膜を用いた受光素子性能に関する報告は少ない。我々は非平衡熱処理によるGeSnを用いた受光素子を作製し、その性能を評価した。