講演情報
[16p-W9_326-5]固相成長法によるGeSnを用いたSWIR帯受光素子
〇董 偉1、葛谷 樹矢1、大藤 和人1、藤原 弘康1、伊藤 将師1、小椋 亮弥2、阿部 洸司2、石川 靖彦2 (1.浜ホト中研、2.豊橋技科大)
キーワード：
SWIR帯受光素子、Ge系、GeSn、固相成長法
SWIR領域の受光材料としてGeSnが注目されている。Si上に集積できる特徴がある。GeにSnを添加することによりバンドギャップが縮小し、光吸収端が長波長化することでSWIR領域をカバーできる。近年、Si基板上にGeSn結晶層を直接成長させる一つの手法として固相成長法が報告されたが、その結晶膜を用いた受光素子性能に関する報告は少ない。我々は非平衡熱処理によるGeSnを用いた受光素子を作製し、その性能を評価した。