[16p-W9_327-1~16] 16.1 Fundamental properties, evaluation, process and devices in disordered materials

1:45 PM - 2:00 PM JST(4:45 AM - 5:00 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[16p-W9_327-2] Creation of Novel 1D vdW Material and its Application to Non-Volatile Memory

〇(M1)Takuto Tezuka¹, Yi Shuang^1,2, Daisuke Ando¹, Yuji Sutou^1,2 (1.Tohoku Univ.(Eng), 2.Tohoku Univ.(AIMR))

Keywords:

1D vdW thin films,Phase-change materials,Non-volatile memory

相変化メモリ(PCRAM)とは、異なる相間での相変化に伴う抵抗変化で情報を記憶するメモリであり、その性能は相変化材料に依存する。従来の相変化材料の課題点として、アモルファス相に変化させるための消費電力が大きいことが挙げられる。そこで本研究では、低消費電力化のために低融点で相変化する材料の発見を目的にTi-Te二元系材料に着目し、新規結晶構造の創成及び不揮発性メモリへの応用可能性について調査した。