講演情報
[16p-W9_327-2]新規一次元vdW材料の創成と不揮発性メモリへの応用
〇(M1)手塚 琢登1、双 逸1,2、安藤 大輔1、須藤 祐司1,2 (1.東北大工、2.東北大(AIMR))
キーワード：
一次元vdW薄膜、相変化材料、不揮発メモリ
相変化メモリ(PCRAM)とは、異なる相間での相変化に伴う抵抗変化で情報を記憶するメモリであり、その性能は相変化材料に依存する。従来の相変化材料の課題点として、アモルファス相に変化させるための消費電力が大きいことが挙げられる。そこで本研究では、低消費電力化のために低融点で相変化する材料の発見を目的にTi-Te二元系材料に着目し、新規結晶構造の創成及び不揮発性メモリへの応用可能性について調査した。