[16p-WL2_401-1~15] 9.4 Thermoelectric conversion

2:00 PM - 2:15 PM JST(5:00 AM - 5:15 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[16p-WL2_401-3] Thermoelectric properties of annealed nano-grained bulk n-type Si-Ge.

〇Ryogo Ishihara¹, Keisuke Hirata², Masaharu Matsunami¹, Tsunehiro Takeuchi¹ (1.Toyota Tech. Inst., 2.The Univ. of Tokyo)

Keywords:

Thermoelectric materials,Silicon germanium

電子構造制御，粒成長の抑制および，酸素吸収材料を用いた酸化の抑制を施したn型Si-Ge熱電材料において，低温域での高比抵抗が課題であった．本研究ではアニール処理による局在状態の緩和を試みた．その結果，室温付近で-300 μVK^–1を超えるゼーベック係数を維持しつつ，比抵抗を20 mΩcm以下まで低減させることに成功した．詳細な熱電特性を報告する．