講演情報
[16p-WL2_401-3]アニール処理したナノバルクn型Si-Ge系熱電材料の熱電特性
〇石原 崚伍1、平田 圭佑2、松波 雅治1、竹内 恒博1 (1.豊田工大、2.東大新領域)
キーワード：
熱電材料、シリコンゲルマニウム
電子構造制御，粒成長の抑制および，酸素吸収材料を用いた酸化の抑制を施したn型Si-Ge熱電材料において，低温域での高比抵抗が課題であった．本研究ではアニール処理による局在状態の緩和を試みた．その結果，室温付近で-300 μVK–1を超えるゼーベック係数を維持しつつ，比抵抗を20 mΩcm以下まで低減させることに成功した．詳細な熱電特性を報告する．