[17a-M_110-1~13] 3.4 Laser system and materials

11:15 AM - 11:30 AM JST(2:15 AM - 2:30 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[17a-M_110-9] Fabrication and Characterization of Vertical-Electric-Field Phase Shifter for Thin-Film LiNbO₃Mach-Zehnder Interferometer

〇Takeru Einaga¹, Kyosuke Komatsu¹, Masami Morita¹, Yoshiki Katagiri², Soshi Umeda², Kentaro Nonaka², Masahiro Uemukai¹, Tomoyuki Tanikawa¹, Ryuji Katayama¹ (1.Univ. of Osaka, 2.NGK INSULATORS, LTD.)

Keywords:

Thin Film Lithium Niobate,Mach-Zehnder Interferometers,Phase Modulation

成膜技術の発展に伴い、薄膜LiNbO₃を用いた光集積デバイスへの応用が注目されている。垂直電界印加型マッハツェンダ干渉計は、高い集積密度が期待できる。我々はこれまで、SiO₂マスクに傾斜を設ける再堆積抑制手法を報告してきたが、本手法はプロセス裕度が狭く、収率の確保が困難であった。そこで本研究では、再堆積物の抑制をチャンバ内圧力の減圧によって実現し、作製した導波路において位相変調動作を実証した。