講演情報
[17a-M_110-9]薄膜LiNbO3マッハツェンダ干渉計に向けた垂直電界印加型位相シフタの作製と評価
〇永長 武留1、小松 京輔1、森田 昌未1、片桐 佳来2、梅田 颯志2、野中 健太朗2、上向井 正裕1、谷川 智之1、片山 竜二1 (1.阪大院工、2.日本ガイシ（株）)
キーワード：
薄膜ニオブ酸リチウム、マッハツェンダ干渉計、位相変調
成膜技術の発展に伴い、薄膜LiNbO3を用いた光集積デバイスへの応用が注目されている。垂直電界印加型マッハツェンダ干渉計は、高い集積密度が期待できる。我々はこれまで、SiO2マスクに傾斜を設ける再堆積抑制手法を報告してきたが、本手法はプロセス裕度が狭く、収率の確保が困難であった。そこで本研究では、再堆積物の抑制をチャンバ内圧力の減圧によって実現し、作製した導波路において位相変調動作を実証した。