[17a-M_135-1~10] 1.3 Novel technologies and interdisciplinary engineering

11:30 AM - 11:45 AM JST(2:30 AM - 2:45 AM UTC)

[17a-M_135-10] Vertical Microfabrication of Si by CO₂/SF₆-based Deep Reactive Ion Etching

〇Mie Tohnishi¹, Mina Sato¹, Miho Fujimoto¹, Akihiro Matsutani¹ (1.Science Tokyo)

Keywords:

Deep Reactive Ion Etching,Vertical Microfabrication of Si

Deep-RIEによるSiドライエッチングでは，C₄F₈/SF₆プラズマを用いたスイッチングプロセスが広く用いられている。我々は，カーボン膜もパッシベーション膜として十分に機能することから，地球温暖化係数（GWP）が約10,000のC₄F₈の代わりに，GWPが1で入手しやすいCO₂を使用することを提案する。本研究では，CO₂/SF₆ベースのDeep-RIEによるSiの垂直エッチングの実証と，エッチング側壁のパッシベーション膜の化学組成のXPS分析の結果などについて報告する。