講演情報
[17a-M_135-10]CO2/SF6 Deep-RIEによるSiの垂直微細加工
〇遠西 美重1、佐藤 美那1、藤本 美穂1、松谷 晃宏1 (1.東京科学大RIM機構)
キーワード：
Deep-RIE、Si垂直微細加工
Deep-RIEによるSiドライエッチングでは，C4F8/SF6プラズマを用いたスイッチングプロセスが広く用いられている。我々は，カーボン膜もパッシベーション膜として十分に機能することから，地球温暖化係数（GWP）が約10,000のC4F8の代わりに，GWPが1で入手しやすいCO2を使用することを提案する。本研究では，CO2/SF6ベースのDeep-RIEによるSiの垂直エッチングの実証と，エッチング側壁のパッシベーション膜の化学組成のXPS分析の結果などについて報告する。