[17a-M_178-1~13] 17.3 Layered materials

11:30 AM - 11:45 AM JST(2:30 AM - 2:45 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[17a-M_178-10] Fabrication of transistor arrays by UV tape transfer of MoS₂ and metal electrodes

〇Nanaka Hasegawa¹, Satoru Fukamachi¹, Maki Nakatani¹, Aika Uchida¹, Satoshi Honda², Atsushi Yasui², Hiroki Ago^1,3 (1.Kyushu Univ., 2.Nitto Denko, 3.Kyushu Univ.CSeDE)

Keywords:

two-dimensional material,transfer,transistor

次世代半導体材料として二硫化モリブデン（MoS₂）などの遷移金属ダイカルコゲナイドが注目されているが、デバイス応用には転写が必要である。最近、我々はMoS₂に適したUVテープ及び転写プロセスを検討してきた。一方でMoS₂トランジスタにおいては、電極の蒸着によるMoS₂へのダメージが問題である。そこで、本研究ではMoS₂と電極をUVテープで転写し、MoS₂トランジスタアレーを作製・動作させることに成功したので報告する。