[17a-M_178-1~13] 17.3 Layered materials

12:00 PM - 12:15 PM JST(3:00 AM - 3:15 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[17a-M_178-12] A study on amorphous TiS₂ contacts for the realization of Contact-All-Around MoS₂ channel transistors

〇Toshiya Sasaki¹, Mihyeon Kim¹, Fons Paul², Wen Hsin Chan³, Takahiko Endo⁴, Yasumitsu Miyata⁴, Yuta Saito^1,3,5 (1.Tohoku Univ., 2.Keio Univ., 3.AIST, 4.NIMS, 5.Tohoku Univ. GXT)

Keywords:

Transition Metal Chalcogenide,Contact,Amorphous

次世代半導体チャネルとして注目されるMoS₂は、電極との高いコンタクト抵抗が実用化の障壁となっている。さらに、Contact-All-Around (CAA)構造への対応が求められる。本研究では、アモルファスTiS₂に着目し、低コンタクト抵抗化とCAAへの対応を目指した。第一原理計算によるTiS₂/MoS₂モデルの部分状態密度と、実際に作製したトランジスタの電気特性について報告する。