講演情報
[17a-M_178-12]Contact-All-Around MoS2チャネルトランジスタ実現のためのアモルファスTiS2コンタクトに関する研究
〇佐々木 俊哉1、金 美賢1、Fons Paul2、張 文馨3、遠藤 尚彦4、宮田 耕充4、齊藤 雄太1,3,5 (1.東北大院工、2.慶應大理工、3.産総研、4.物質材料研究機構、5.東北大GXT)
キーワード：
遷移金属カルコゲナイド、コンタクト、アモルファス
次世代半導体チャネルとして注目されるMoS2は、電極との高いコンタクト抵抗が実用化の障壁となっている。さらに、Contact-All-Around (CAA)構造への対応が求められる。本研究では、アモルファスTiS2に着目し、低コンタクト抵抗化とCAAへの対応を目指した。第一原理計算によるTiS2/MoS2モデルの部分状態密度と、実際に作製したトランジスタの電気特性について報告する。