Presentation Information
[17a-PA1-24]Crystal growth of Ba2AgSi3 thin films and thermoelectric properties near room temperature for thermoelectric applications
〇Kimimaru Kajihara1, Naoki Sato2, Yoichiro Koda3, Masami Mesuda3, Kaoru Toko1, Takao Mori2, Takashi Suemasu1 (1.Univ. of Tsukuba, 2.NIMS, 3.Tosoh Corporation)
Keywords:
thermoelectric generation,thin film semiconductor,environmentally friendly materials
Ba2AgSi3は組成比に応じた伝導型変調が報告されており、50 ℃においてp型伝導を示したバルク試料については無次元性能指数ZT ＝ 0.52と高い熱電性能が報告されている。我々はこれまでにBa2AgSi3膜の成膜に成功してきたが、膜中元素比の制御は十分ではなかった。さらに、薄膜熱伝導率の測定は未達成であった。本研究では膜中元素比を精密に制御するとともに薄膜熱伝導率を測定し、結晶性および室温付近における ZT を含めた熱電特性を調査した。