Presentation Information
[17a-PA1-35]Thickness Dependence of Thermoelectric Properties of SnTe Thin Films at Low Temperatures
〇(B)Takuji Kobayashi1, Yuki Kuramochi1, Masaomi Mizuno1, Ryo Ando2, Ryota Uesugi1, Takashi Komine1 (1.Ibaraki Univ., 2.Ibaraki College)
Keywords:
thermoelectric conversion,topological crystalline insulators,thin film
本研究では，トポロジカル結晶絶縁体 SnTe 薄膜の表面状態に着目し，その熱電特性を調査した．
表面状態の熱電特性を評価するため，14–300 K の温度域においてゼーベック係数の膜厚依存性を測定した．膜厚変化に伴う熱電特性の違いから，表面状態とバルク状態の寄与の分離を試みる．
講演では，SnTe 薄膜における表面状態の電子物性が熱電特性に与える影響について議論する．
表面状態の熱電特性を評価するため，14–300 K の温度域においてゼーベック係数の膜厚依存性を測定した．膜厚変化に伴う熱電特性の違いから，表面状態とバルク状態の寄与の分離を試みる．
講演では，SnTe 薄膜における表面状態の電子物性が熱電特性に与える影響について議論する．