講演情報
[17a-PA1-35]SnTe薄膜の低温における熱電物性の膜厚依存性
〇(B)小林 拓慈1、倉持 祐希1、水野 将臣1、安藤 亮2、上杉 良太1、小峰 啓史1 (1.茨城大工、2.茨城高専)
キーワード：
熱電変換、トポロジカル結晶絶縁体、薄膜
本研究では，トポロジカル結晶絶縁体 SnTe 薄膜の表面状態に着目し，その熱電特性を調査した．
表面状態の熱電特性を評価するため，14–300 K の温度域においてゼーベック係数の膜厚依存性を測定した．膜厚変化に伴う熱電特性の違いから，表面状態とバルク状態の寄与の分離を試みる．
講演では，SnTe 薄膜における表面状態の電子物性が熱電特性に与える影響について議論する．
表面状態の熱電特性を評価するため，14–300 K の温度域においてゼーベック係数の膜厚依存性を測定した．膜厚変化に伴う熱電特性の違いから，表面状態とバルク状態の寄与の分離を試みる．
講演では，SnTe 薄膜における表面状態の電子物性が熱電特性に与える影響について議論する．